美國荷蘭日本達成對中國芯片禁止協(xié)議，浸潤式DUV光刻機不賣了
1. 這個是業(yè)界早就預期的，因為浸潤式光刻機可以用來造14nm芯片，最強可以到7nm。有些相關技術常識。
2. 最先進的叫EUV光刻機，13.5nm的極紫外光源，可以用較少的工序造7nm芯片。次先進的光刻機就是immersion浸潤式DUV光刻機，光源是193nm的，但是在水里折射變137nm，加工能力更強，多次光罩疊加后可以做14nm芯片。
3. 中國已經有一些浸潤式DUV光刻機，是ASML賣的。拜登搞的協(xié)議將讓ASML和日本尼康都不能賣了，這樣將無法擴產。 估計日本東京電子還會通過耗材供應，卡中芯國際等中國公司現有的光刻機制造能力。
4. 還能賣的是干法DUV光刻機，也是193nm光源，這種只能用來造55nm、40nm之類的芯片。28nm都不太方便了。這對中國芯片擴張產能有很大影響。
5. 現在局面明確了，中國公司之前的一些擴產假設需要調整，不能指望ASML和日本供應商，只有一些成熟制程里低級的還能擴產。
6. 最后的關鍵是，SMEE上電微到底行不行，浸潤式光刻機搞得如何了，就頂在這了。美國方面應該是有了情報，中國自己沒有搞出可以實際應用的浸潤式光刻機（中國這可能更習慣叫28nm光刻機），所以就推進到這了。問題是還要幾年，也不只是光刻機，還有很多配套。總體來說，群眾慢慢認識到了難度，時間節(jié)點一再往后推。
